IBM и Siemens обединяват усилия за разработването на нова технология за производство на чипове, която може да позволи събирането на почти 100 милиарда транзистора върху площ с размерите на нокът. Целта е да се създадат по-мощни и енергийно ефективни полупроводници, които да отговорят на нарастващите нужди на изкуствения интелект и съвременните изчислителни системи.
Двете компании обявиха ново изследователско партньорство за усъвършенстване на технологията nanostack, представена от IBM по-рано тази година. Тя използва различен подход при подреждането на транзисторите, за да позволи в един чип да се поберат повече компоненти, без да се увеличава значително размерът му.
Повече транзистори в по-малко пространство
При традиционните конструкции транзисторите се разполагат основно в рамките на слоеве върху полупроводниковия чип. Технологията nanostack използва триизмерна структура, при която транзисторите се подреждат вертикално един над друг и се изместват спрямо съседните слоеве.
Според IBM при настоящия технологичен вариант, обозначен като 7 ангстрьома, тази архитектура позволява разполагането на близо 100 милиарда транзистора върху площ с размерите на нокът. Ангстрьомът е единица за измерване на изключително малки размери, равна на една десета от нанометъра.
Новият подход предлага и друга възможност – използването на различни материали в отделните слоеве. Така характеристиките на всеки транзистор могат да се настройват по-прецизно, за да се подобрят неговата производителност и енергийна ефективност.
Това е важно за чиповете, които обработват големи количества данни и изпълняват сложни задачи с изкуствен интелект. По-високата плътност на транзисторите и по-ефективното използване на енергията могат да помогнат за създаването на по-мощни изчислителни системи.
Какво ще правят IBM и Siemens
IBM ще допринесе с опита си в разработването на полупроводникови технологии, а Siemens – със специализиран софтуер за проектиране на електронни схеми, симулации и оптимизиране на производствените процеси.
Една от основните задачи на партньорството ще бъде създаването на виртуални модели на nanostack. Чрез тях инженерите ще могат да проверяват как би работил един чип, да сравняват различни конструкции и да откриват потенциални проблеми, преди да започне физическото му производство.
Двете компании ще работят и върху усъвършенстването на литографията – технологията, чрез която миниатюрните структури на чиповете се оформят върху полупроводников материал. Целта е да се преодолеят техническите ограничения и да се подготвят следващите поколения nanostack за производство в големи количества.
По-рано тази година IBM демонстрира, че новата архитектура е технически осъществима. Предстои обаче допълнителна работа, преди тя да може да се използва в масовото производство.
Технология за бъдещите AI системи
От IBM определят nanostack като начин развитието на транзисторите да премине от двуизмерно към триизмерно подреждане. Според Хуимин Бу, вицепрезидент по научноизследователската и развойната дейност в областта на силициевите технологии в IBM, тази архитектура може да осигури основа за следващото поколение логически чипове, необходими за изкуствения интелект и други нови технологии през следващото десетилетие.
От Siemens също подчертават, че създаването на все по-малки и мощни полупроводници изисква тясна координация между проектирането, материалите и производствените технологии. Анкур Гупта, изпълнителен вицепрезидент в Siemens, посочва, че триизмерният подход на IBM е важна стъпка в развитието на силициевите архитектури.
Засега nanostack е технология в процес на развитие, а не готов продукт за масовия пазар. Чрез съвместната си работа IBM и Siemens се стремят да ускорят разработването ѝ и да подготвят необходимите инструменти и производствени методи, за да може тя да достигне до реални приложения.
Източник: Banker.bg
